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半導(dǎo)體清洗有干法和濕法兩種清洗方法，目前濕法由于其成本低產(chǎn)能高的優(yōu)點(diǎn)占據(jù)主流，占整個(gè)清洗制程90%以上。濕法清洗由于使用相對多的化學(xué)試劑，也存在晶片損傷、化學(xué)污染和二次交叉污染等問題，而干法清洗雖然環(huán)境友好、化學(xué)用量少，隨著半導(dǎo)體制程不斷升級，干法清洗低磨損的優(yōu)點(diǎn)日益突出，逐漸得到更多的關(guān)注。不過，目前干法清洗控制要求和成本較高，仍難以大量應(yīng)用于半導(dǎo)體生產(chǎn)中。因此實(shí)際的半導(dǎo)體產(chǎn)線上通常是以濕法清洗為主，少量特定步驟采用干法清洗相結(jié)合的方式互補(bǔ)所短，構(gòu)建半導(dǎo)體制造的清洗方案。


超聲清洗方法：
晶片浸沒在清洗液中,利用超高頻率的聲波能量將晶片正面和背面的顆粒有效去除。超聲波清洗的優(yōu)點(diǎn)：清洗的速度快;清洗的效果比較好;能夠清洗各種復(fù)雜形狀的硅片表面;易于實(shí)現(xiàn)遙控和自動(dòng)化。超聲波清洗的缺點(diǎn)：顆粒尺寸較小時(shí),清洗效果不佳;在空穴泡爆破的時(shí)候,巨大的能量會(huì)對硅片造成一定的損傷；kelisonic超聲波清洗設(shè)備廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體前端各階段清洗；